《科创板日报》16日讯 ，近日 ，宁波领开半导体技术有限公司（下称“领开半导体 ”）完成A+轮融资，投资方为三花弘道投资 、德同资本 、辰韬资本 。本轮融资金额未披露 。
本轮所募资金将主要用于新一代HBF+芯片的研发、量产与市场拓展，推动自主存储架构向产品化、规模化应用迈进。
德同资本连续第二轮追加投资。
根据财联社创投通—执中数据 ，以2026年9月为预测基准时间 ，领开半导体后续2年的融资预测概率为88.41% 。
领开半导体成立于2020年，总部位于浙江省宁波市镇海区 ，是一家依托自研ATopFlash技术及HBF+架构的存储芯片研发商 。
公司自主研发ATopFlash核心技术 ，融合3D NAND高密度与DRAM并行读取特性。当前推出新一代HBF+芯片，具备高带宽 、大容量 、低功耗特征 ，读操作核心参数对齐并兼容HBM4 ，且不占用传统DRAM产能，通过自有工艺与芯片设计协同优化数据访问路径 。
公司正围绕AI推理大模型权重存储需求推进HBF+芯片的产品验证与客户适配 ，致力于在满足推理性能前提下降低部署与运行成本 ，推动自主存储架构向产品化、规模化应用迈进 。
高带宽闪存赛道在政策扶持与巨头竞逐下，正加速迈向技术突破与产业化落地新阶段。
资本化动向方面 ，铠侠控股宣布筹划在美国证券交易所挂牌上市代表其普通股的“美国存托股票 ”（ADS） ，此举的目的有扩大投资者基础 、提高企业价值等 。
竞争格局方面，铠侠研发高带宽闪存（HBF），其原型产品容量是HBM3E模块的40倍 。闪迪推出HBF高带宽闪存方案 ，模仿HBM垂直堆叠思路 ，依靠TSV硅通孔多层互联，将多个NAND层垂直堆叠 ，HBF单堆容量比较高 可达4TB。
政策情况方面 ，工业和信息化部 、国家发展改革委印发《电子信息制造业发展“十五五”规划》，提到加快发展先进存力 ，推动以存强算、以存代算 ，研发高带宽闪存 、高带宽内存等新型存储产品 。上海市人民政府印发《上海市加快推进新型工业化构建现代化产业体系“十五五”规划》，提到推进存储芯片达到世界 先进水平 。
行业趋势方面 ，高盛在最新研报中表示 ，闪迪投资者日释放出强于预期的长期盈利和股东回报信号，同时HBF（高带宽闪存）技术为AI存储带来额外增长空间。
（文章来源：财联社）
